东大科研团队3篇论文入选第70届“芯片设计国际奥林匹克会议”（ISSCC）

　　近日

　　被业界誉为“芯片设计国际奥林匹克”的

　　第70届国际固态电路大会（ISSCC 2023）

　　在美国旧金山举行

　　东大电子科学与工程学院/集成电路学院的师生

　　赴美参加此次盛会

　　东大三项重大研究成果入选

　　此次会议是自2020年以来首次全线下模式召开，来自30多个国家的3000多名研究人员参会，分享该领域的最新技术。约有200项芯片实测成果入选，约45%的芯片成果来自于英特尔、三星、台积电、AMD、英伟达、高通、博通、ADI、TI、联发科等国际芯片巨头公司，其余芯片成果来自于高校和科研院所。

　　东南大学电子科学与工程学院/集成电路学院的师生赴美参加此次盛会，国家ASIC工程中心杨军教授、司鑫副研究员和蔡浩副教授课题组，在存储器领域的Session 7和Session 33报告了三项存内计算芯片研究成果，是本届ISSCC在存储器-存内计算领域报道数量最多的单位之一。同时，东南大学作为IEEE固态电路南京分会主席单位，派出代表参与本年度IEEE固态电路协会主席论坛。

　　

　　晓东：

　　听说咱们东大还有三篇论文发表在第70届国际固态电路大会呢，都是哪些呀？

　　

　　晓南：

　　别急！快随我一起来了解一番吧~

　　浮点存内计算芯片

　　

　　面向高精度AI运算场景，针对整型神经网络在复杂任务下性能大幅下降的问题，东南大学团队提出一套基于共享指数的浮点存算架构，通过片外权重指数域对指，片上指数相加对指，全局浮点局部定点的方式，实现浮点运算。同时设计了一套高位全精度、低位近似的数字运算架构，以分离字线方式实现了数字域的高能效运算。通过对数字域存算的加法树结构进行分解，权重、特征值、通道三段加法树的重组实现计算效率的提升。

　　该工作以《A 28-nm 64-kb 31.6-TFLOPS/W Digital-Domain Floating-Point-Computing-Unit and Double-Bit 6T-SRAM Computing-in-Memory Macro for Floating-Point CNNs》为题，文章第一作者为东南大学集成电路学院博士生郭安。

　　边缘端网络存内计算芯片

　　

　　面向Edge端神经网路的加速任务，传统的存内计算设计面临诸多问题和挑战，主要包括短累加致能效下降、阵列利用率低，数据更新成本高和计算-读出访问时间过长等。东南大学团队提出一种用于Edge端神经网络加速的存内计算芯片设计。架构层面，首次提出一种灵活可配置的存算一体阵列，支持两种数据映射方式，在提高阵列利用率的同时可极大降低数据更新成本。

　　该工作以《A 28-nm Horizontal-Weight-Shift and Vertical-Feature-Shift Based Separate-WL 6T-SRAM Computation-in-Memory Unit-Macro for Edge Depthwise Neural-Networks》为题，文章第一作者为东南大学集成电路学院的博士生王博。

　　自旋转移力矩磁随机存储器

　　(STT-MRAM)存内计算芯片

　　

　　该工作面向资源受限的边缘人工智能设备，解决了新型非易失磁存储器STT-MRAM存算电路自下而上设计中的挑战。东南大学团队研制了一款28nm 2Mb的高能效STT-MRAM存内计算芯片，在1-bit输入/1-bit权重/9次累加/5-bit输出的情况下，实现了高达41.5 TOPS/W的峰值能效，以及96.2%（MNIST数据集）的网络推理精度，是中国大陆首篇在ISSCC上发表的MRAM存储与存算工作。

　　该工作以《A 28nm 2Mb STT-MRAM Computing-in-Memory Macro with a Refined Bit-Cell and 22.4 – 41.5 TOPS/W for AI Inference》为题，文章第一作者为东南大学集成电路学院蔡浩副教授。

　　据悉，ISSCC是由电气与电子工程协会（IEEE）固态电路学会赞助发起的半导体集成电路设计领域的学术会议，该会议于1954年首次举办，是该领域规模最大、最著名的国际会议。历史上入选ISSCC的成果代表着当年度全球领先水平，展现出芯片技术和产业的发展趋势，多项“芯片领域里程碑式发明”在ISSCC首次披露，如世界上第一个集成模拟放大器芯片（1968年）、第一个8位微处理器芯片（1974年）和32位微处理器芯片（1981年）、第一个1Gb内存DRAM芯片（1995年）、第一个多核处理器芯片（2005年）等。

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