半导体行业2023年投资策略：变局与周期筑底，晓色微茫多看少动

　　（报告出品方/作者：中航证券，刘牧野、刘一楠）

　　一、电子行业复盘：估值回归理性，静待周期回暖

　　2022年外部环境：摩擦加剧+加息周期+疫情反复

　　宏观环境逆风，指数年内两次下探。2022年开局以来，国际关系紧张，俄乌爆发热战，全球能源价格大幅上涨；美国在高通胀压力下，于3月开 始本轮加息周期，至今已累计加息375bps。叠加上海疫情封城等不利因素影响，A股大盘指数一路下跌，至4月27日开始触底反弹。但宏观环境 并未明显改善，且疫情反复扰动，指数7月开始继续震荡下行，并于10月末二次下探，沪深300指数跌至五年内19.1%分位。 制裁与扶持并举，强化“芯安全”。美国颁布《芯片与科学法案》，以期集成电路制造业回流美国；并修订《出口管制条例》，全方位限制我国 高端芯片与先进IC制造。二十大报告重点强调“安全”，大国博弈的背景下，全球IC产业格局正在重塑，自主可控大势所趋。

　　2022年行情回溯：细分板块出现明显分化

　　子板块业绩分化，上游景气度高于中下游。根据各公司主营业务将电子行业分为6个大板块及16个细分赛道。截至2022Q3末，集成电路制造相关 子赛道的业绩明显优于芯片设计和消费电子板块。传统电子元件承压，光学光电子板块营收、净利双双下滑。 高估值+弱业绩板块，年内回调较大。细分板块年内不同程度下跌，其中有强业绩支撑的半导体设备、材料、电子化学品跌幅较小，估值较高； 分立器件受益于新能源需求刺激，小幅下跌。前期估值较高且业绩下滑的模拟芯片回调最大，年内下跌58.1%。消费电子板块业绩在“果链”巨 头的支撑下维持正增长，但市场预期悲观、安卓系砍单严重，叠加组装业务技术壁垒偏低，年内大幅回调，板块估值较低。

　　半导体行业特征：强周期、高弹性、事件驱动

　　半导体是一个强周期+高成长的行业。销售额的增长和全球实际GDP增速具有高度的相关性，且波动更大、弹性更高。在全球GDP增速由负转正 的节点（2010年、2021年），半导体销售额增速达到局部顶峰。 国内半导体指数与半导体产业周期趋于同步。自2019年以来开设科创板，国内半导体上市公司激增，国内半导体指数较2018年之前更能反映产 业周期。2022年国内半导体销售额进入下降周期，指数呈现较高的同步特征，跟随国内半导体销售额从增速放缓至加速下滑。我们认为，国内半 导体指数已经与行业景气度紧密挂钩，判断半导体周期的拐点，将有助于寻找行情回暖的信号。

　　周期判断：下行周期或已过半，23年中有望触底

　　3年一轮迭代周期，本轮下行期有望于23年中构筑“U型底”。复盘近20年以来的全球半导体周期，每轮周期持续约3年左右，上下周期各约1.5 年。2022年以来，全球半导体增速逐月放缓，并于9月首次出现负增长（yoy：-3%，qoq：-0.5%）， 预计到23年中“U型底”渐筑。 关注库存去化节奏。集成电路产成品库存指数走势基本与销售额增速反向，前两年需求旺盛+供需错配导致下游过度备货，下行周期，厂商库存 水位持续走高，并于9月开始回落，当前时点仍处于去库存阶段。

　　二、主线1：自主可控大势所趋，设备&材料黄金时代

　　大国竞争愈演愈烈，补贴政策鼓励晶圆制造

　　各国补贴竞赛，振兴半导体产业。 半导体产业发展历经多次重心转移，国家变迁，如今日本、欧洲半导体产业逐渐式微，各国危机意识强烈。中 美欧日韩纷纷出台补贴政策刺激，尤其重点补贴IC制造。美国《芯片与科学法案》中补贴390亿美元投入IC制造，美光、Intel、TI纷纷宣布扩产。 美对华上下游封锁形势已成，国内半导体逆势扩产势在必行。从2019年打击华为终端开始，到高性能芯片、设计工具的限制，再到10.7号美国 EAR限制高端存储芯片和先进芯片用半导体设备，美国未来仍将以“打补丁”的形式遏制我国半导体产业发展，我国芯片自立自强迫在眉睫。

　　Capex有所回落，但整体仍处于高位

　　Capex回落符合预期规律。终端需求疲软，使得以存储为代表的厂商率先大幅削减资本开支，其中美光FY23预计下调3成，SK海力士预计下调5 成，龙头三星维持稳定。根据IC Insights，预计2022全球半导体资本开支达到1817亿美元，连续三年增长；2023年1466亿美元，同比下滑19%， 但仍处于历史第三高位。我们判断，随着周期回暖及各国补贴政策的逐步实施，对capex投资会有所刺激和拉动。

　　国内代工龙头中芯国际逆势大幅上修资本开支。根据台积电22Q3法说会，其代工产能利用率有所松动，出于谨慎原则收窄2022年资本预期，减 少约10%至360亿美元，联电、格芯等也纷纷下修预期。但大陆代工龙头中芯国际大幅上调capex并扩建天津西青工厂，提振了国内扩产的信心。 集成电路制造也是“举国体制”的重点方向，未来出于“安全”意图的扩产会更加坚定，国内IC制造的景气度无需过度忧虑。

　　全球晶圆扩产脚步不止，内资产能有望提升

　　国内晶圆产能将以远超全球增速的态势增长。根据我们对全球63家主流IDM/Foundry企业的产能统计，当前全球晶圆月产能2125万片（折合8英 寸），未来三年以7%左右的增速持续增长。且扩产以12英寸为主，预计2024年全球12英寸达到808万片/月。值得注意的是，国内12英寸产能将 达到155万片/月，保持30%以上的CAGR，中国大陆内资总产能有望从当前的15%增长至2024年的24%。 目前国内主要在建项目以12英寸28nm及以上的成熟制程为主。28nm是成熟的性价比的工艺节点，可以用在中低端手机、平板等绝大多数电子 设备，且能覆盖增速最快的汽车电子。SMIC一边突破先进制程，一边不断巩固自己在28nm的地位。

　　国产设备：大国重器，玉汝于成

　　半导体设备是晶圆制造的投资核心，前道设备占比大。半导体设备是产业的上游支撑基石，也是产业中的技术先行者。素有“一代设备，一代工 艺，一代产品”的规律，对整个电子行业有10^N倍的乘数放大效应。设备投资一般占IC制造领域资本开支的70%-80%，且随着工艺提升，设备 投资占比相应提高，16/14nm产线中设备投资占capex的85%。其中，以前道的晶圆制造设备为主，占设备总投资的85%以上，光刻、刻蚀、薄 膜沉积三个环节对应的设备市场规模较大，当前我国除光刻机外，在各环节均具备一定的国产替代能力。 根据SEMI数据，2021年全球设备市场规模1026亿美元，2022-2023年分别达到1175、1208亿美元，同比继续增长15%/3%。

　　三、主线2：强周期驱动，IC设计有望困境反转

　　功率半导体：电动车核心器件，价值占比高

　　电动车半导体单车价值量激增，逆变器用功率半导体占比最高。据英飞凌，电动车的半导体单车价值量较燃油车增长约1000美元，其中约950美 元来自功率半导体的使用，而逆变器使用的功率半导体，占单车功率半导体总价值量75%左右。 电机和逆变器是电动车新增核心需求，功率器件（IGBT和碳化硅MOS）是逆变器核心器件，也是车辆性能的主要保证方式之一。和计算机上处理 数字信号的CPU类似，功率器件是电动车在功率上的“CPU”。CPU依靠软件实现信号流在0和1之间转换。功率器件依靠变频控制软件，处理功 率流的开和关。

　　功率半导体：动力“CPU”高景气持续

　　全球功率半导体持续供不应求。主要功率半导体供应商陆续宣布涨价，毛利率得到显著的提升。2022年行业经历的缺货行情仍在延续，头部供应 商明显感受到供不应求的产能紧张状况。 据英飞凌，包括尚未确认的订单在内,2022年1-3月英飞凌积压的订单金额从去年四季度的310亿欧元增长了19.4%至370亿欧元，这些订单当中超 过五成是汽车相关产品,75%的订单在未来12个月内才能交货,积压订单显然远超出英飞凌的交付能力。

　　功率半导体： IGBT进口替代空间广阔

　　目前，欧美日企业占据了超过80%的IGBT 市场份额。位居榜首的英飞凌在IBGT模块更 是占有全球三分之一以上的市场。 由于新能源车、充电桩等行业加速发展，全 球IGBT市场规模在2021年大幅增长。由于 车规级IGBT认证项目复杂，付出成本昂贵， 技术Know-How不易取得，认证周期快则 两到三年，慢则甚至五到十年之间。因此产 能的扩充在近期内无法缓解终端市场强大需 求的短缺，至少在2023年上半年以前。 IGBT属于功率晶体管中技术壁垒较高的产品 ，我国起步较晚，还存在较广阔的进口替代 空间。士兰微在拥有自主产能，在IGBT器件 市占率提升。斯达半导聚焦车规IGBT，受益 于国内新能源车发展，2021年的IGBT模块 市占率上升至全球第6。

　　功率半导体：国产替代拐点已至，看好IDM供应模式

　　国产车载IGBT拐点已至，实现市占率的快速上升。据NE时代，2022年上半年国内出货量前五的中高压车载功率器件供应商中，已经有三家中国 本土企业入列，分别为比亚迪半导体（IDM）、斯达半导（Fabless）、时代电气(IDM)，三家合计装机量占比约47.6%，同比增长分别为209.2%、 156.6%、500.0%。 在产能紧缺的背景下，拥有自主产能的供应商将更加受益。国内供应商中，华润微、士兰微、闻泰科技、燕东微电子均有12英寸线的在建产能。 华润微、士兰微、斯达半导、时代电气、燕东微电子正在建设、规划碳化硅6至8英寸的产线。建议关注业绩高质量提升的扬杰科技，以及扩产规 划大，处于估值低位的士兰微、时代电气。

　　功率半导体：车载碳化硅势在必行

　　与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此，与硅器件相比，当用于半 导体器件中时，碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性，其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器 件。据东芝半导，通过更改2kVA单相逆变器产品的开关元件（将IGBT替换为SiC MOSFET），额定运行期间每个器件的损耗降低了约41%。这主 要归功于SiC MOSFET卓越的开关能力。

　　功率半导体：SiC国内起步较晚，全产业链奋力追赶

　　碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：第一类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司 等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如II-VI公司等。 国内碳化硅产业起步较晚。衬底方面，科锐和II-IV公司已分别于2009年和2012年实现了6英寸衬底的量产，国内公司如天岳先进于2019年才实现 了量产。此外，科锐于2015年具备了更大的8英寸衬底量产能力，国内公司目前尚未有公司在8英寸实现突破。器件方面，意法半导体、英飞凌等 设计、生产的SiC MOSFET已经批量应用于特斯拉，国内斯达半导、比亚迪还处于小批量供应阶段。建议关注国内碳化硅衬底产能实现批量供应 的天岳先进。

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　　精选报告来源：【未来智库】。