MOS管实战之MOS管的外围电路设计与电源电路应用
问题一
MOS管电源电路应用问题
1.这是一个220V输入后整流,再经过两个MOS管脉冲调节, 再经过变压器放大的电源电路
问:请问下1和2 两个MOS 分别是起到什么作用的
问题二
MOS管的外围电路设计
现在用全桥输出拓扑较多
经常看见在每个桥臂的MOS管G极前加一个阻值不大但是功率较大的电阻
同时和MOS并联的还有一个RCD(电阻+二极管+电容)电路
现在知道这个RCD电路是用于汲取MOS管的突波或者尖峰电压
问:在实际中如何选型RCD器件,以及G极的电阻
上期答案:
答:建议选用P MOS管 因为一般来讲光耦多用于信号器件,隔离干扰之类的,所以用P型MOS管做开关驱动会比较好,N型MOS管用于5V左右电压的环境,一般超过12V以上的都建议选用P型MOS管,当然这主要是成本问题,要是不差钱,那就随便选,用P型MOS管的话,把MOS管链接到电源和设备的正极,然后用一个小的三极管驱动MOS管,链接方式就是从芯片IO端口到三极管到MOS管到设备。
2.针对应用场景,建议使用电阻分压的方案,将采样电阻接在MOS管的D极进行分压处理,直接将分压后的信号给CPU。这种方案简单可靠,成本低廉,适用于大多数应用场合。
如果您需要更高的隔离性能,可以考虑使用光耦隔离器,将MOS管的D极信号隔离,通过光耦隔离器输出给CPU。这种方案具有优良的隔离性能,可以有效地幸免信号干扰和电气隔离问题,但成本相对较高。
另外,如果需要对采样信号进行进一步处理,如放大、滤波等,可以在分压电阻后面加一个运放电路或滤波电路。但这样会增加电路的复杂度和成本。
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